MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL

ON Semiconductor

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:10.2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 30A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23.8nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3016pF @ 12V,功率 - 最大值:880mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-TDFN 裸焊盘（5 根引线）,供应商器件封装:6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）

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